Alimentatore switching per dispositivi di memoria. Schema, descrizione

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Alimentatori switching per dispositivi di memoria. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Lo stabilizzatore di tensione proposto per l'alimentazione dei dispositivi di memoria è progettato tenendo conto dei requisiti per l'alimentazione del computer ed è praticamente esente da alcuni degli svantaggi inerenti a dispositivi simili. La connessione tra l'uscita del blocco e l'ingresso è un trasformatore, che elimina la possibilità di aumentare la tensione di uscita in caso di guasto del transistor chiave. L'elevata efficienza dello stabilizzatore (oltre il 75%) semplifica il problema della rimozione del calore.

Il dispositivo non contiene parti scarse e non è fondamentale per i suoi parametri. A causa del fatto che è vietato fornire alimentazione a +5 V ad alcuni chip di memoria senza una tensione di -5 V, lo stabilizzatore descritto offre la possibilità di bloccarlo in caso di perdita della tensione di ingresso di -5 V.

Lo stabilizzatore consente di impostare la tensione di uscita entro 2 ... 40 V.

Il dispositivo (Fig. 1) forma un multivibratore sui transistor VT4 e VT5 con un regolatore del ciclo di lavoro degli impulsi sul transistor VT2; amplificatore di corrente sui transistor VT6 e VT7; unità di aumento tensione, costituita dall'avvolgimento P del trasformatore T1, diodo VD2, resistore R14 e condensatore C3; unità di uscita, compreso l'avvolgimento III del trasformatore T1, raddrizzatore a diodi VD3, filtro di uscita L1C4-C6; unità di confronto su transistor VT1, diodo zener VD1 e resistori R1-R4.

Le principali caratteristiche tecniche dello stabilizzatore:

Tensione di alimentazione, V........11..15
Tensione di uscita, V........ 5
Tensione di ondulazione, V, non più di ....... 0,25
Corrente di uscita, A........0,5..1,6
Efficienza,%.......75..85
Frequenza di conversione, kHz.......8...40

(clicca per ingrandire)

Alimentatore switching per dispositivi di memoria

Lo stabilizzatore può funzionare con una corrente di carico inferiore a quella specificata, tuttavia, il livello di ondulazione può superare 0,25 V. Ciò si verifica a causa di una diminuzione della frequenza di conversione dello stabilizzatore. È possibile ridurre l'ondulazione sostituendo i condensatori di filtro C4-C6 con altri di capacità maggiore. Un aumento della tensione di alimentazione dello stabilizzatore porta anche ad un aumento del livello di ondulazione.

Quando l'unità viene alimentata e c'è una tensione di -5 V, i transistor VT1, VT2 e VT3 sono chiusi, quindi il multivibratore inizia a funzionare ad una certa frequenza. Impulsi multivibratore di durata fissa, amplificati in corrente dai transistor VT6 e VT7, transistor a chiave aperta VT8, VT9 e la corrente inizia a fluire attraverso di essi nell'avvolgimento I del trasformatore di impulsi T1. Dopo aver chiuso i transistor chiave, la tensione di autoinduzione del trasformatore, rimossa dagli avvolgimenti II e III, carica i condensatori C2 e C3 rispettivamente attraverso i diodi VD3 e VD4.

Se la tensione sul condensatore C6 aumenta sopra i 5 V, i transistor VT1 e VT2 si aprono, il che porta ad un aumento del ciclo di lavoro degli impulsi del multivibratore e, di conseguenza, ad una diminuzione della tensione di uscita dell'unità.

L'avvolgimento II del trasformatore di impulsi, insieme al diodo VD2 e al condensatore C3, forma una fonte di aumento di tensione - una tensione costante di 2...3 V, che non consente al transistor VT8 di entrare in saturazione e quindi aumenta la velocità dello stadio chiave e l'efficienza del dispositivo nel suo complesso.

L'unità di blocco, che spegne l'alimentazione al dispositivo di memoria in caso di caduta di tensione di -5 V, è formata dal transistor VT3 e dai resistori R5, R6. Quando questa tensione scompare, il transistor VT3 si apre immediatamente completamente e bypassa il circuito di base del transistor VT4 con bassa resistenza, bloccando il funzionamento del multivibratore stabilizzatore.

Resistori a blocco fisso - MLT, trimmer R1 - SP5-16; condensatori - KM-5, KM-6. K50-6. Il transistor VT9 e il diodo VD3 sono installati su una comune plastica dissipatrice di calore in rame con dimensioni di 135x50x2 mm tramite distanziatori in mica.

Il trasformatore di impulsi T1 è avvolto su un nucleo magnetico corazzato B36 in ferrite da 2000 NM con una guarnizione di carta spessa 0,2 mm tra le coppe. Gli avvolgimenti I e III sono costituiti da un fascio di 10 fili PEV-2 0,2 e contengono rispettivamente 10 e 6 spire. Avvolgimento II - 3 giri di filo PEV-2 0,2.

L'induttore L1 è avvolto su un anello di dimensioni standard K20x10x6 realizzato in ferrite da 2000MM. L'avvolgimento contiene 20 spire di filo PEV-2 da 0,5.

Autore: S. Shvetsov

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