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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Indicatore fusibile bruciato. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Protezione delle apparecchiature dal funzionamento di emergenza della rete, gruppi di continuità

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Il fatto che il fusibile dell'apparecchiatura radio sia saltato sarà avvertito da un semplice dispositivo automatico, il cui schema è stato pubblicato dalla rivista "Radio Fernsehen Elektronik" (GDR). Mentre il fusibile F1 è integro (vedi figura), la tensione tra l'emettitore e la base del transistor V1 è nulla e il dispositivo a semiconduttore è chiuso. Non appena il fusibile si brucia, immediatamente appare una tensione sulla base di V1, aprendo il transistor, e il LED B1, incluso nel circuito del collettore, inizierà ad accendersi, indicando un "incidente".

Indicatore di fusibile bruciato

A seconda del tipo di LED e della tensione di alimentazione, la resistenza del resistore R1 viene selezionata in modo tale che il transistor si apra completamente. Se la tensione di alimentazione supera i 4,5 V, è necessario collegare in serie al LED un ulteriore resistore di zavorra, limitando la corrente attraverso B1 al valore massimo consentito.

Transistor V1 - qualsiasi silicio, a bassa potenza: KTZ61, KT326, KT208, KT203. Diodi V2, VZ - D219, D220. LED B1 - AL102 con qualsiasi indice di lettere.

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I nanofili sono minuscole strisce di materiale semiconduttore. Gli esperti ritengono che saranno i nanofili che diventeranno la base dell'elettronica del futuro e saranno ampiamente utilizzati per la produzione di transistor, pannelli solari, laser, sensori, ecc.

Scienziati americani hanno esplorato le possibilità dei nanofili facendoli crescere utilizzando la tecnologia dell'epitassia di van der Waals su un substrato piatto di materiali semiconduttori come il silicio. In particolare, erano impegnati nella coltivazione di fili della cosiddetta classe III-V (tre-cinque). Questi semiconduttori sono essenziali per la creazione di pannelli solari e laser di nuova generazione. In precedenza, gli scienziati hanno già osservato la crescita di nanofili III-V su substrati di silicio.

Recentemente, i ricercatori dell'Università dell'Illinois hanno deciso di provare a coltivare nanofili di indio gallio arseniuro (InGaAs) su un foglio di grafene e hanno trovato un risultato inaspettato. I nanofili InGaAs si sono autoformati in una struttura insolita in cui il nucleo è costituito da un materiale, l'arseniuro di indio, e il guscio esterno è costituito da un altro, InGaAs. Allo stesso tempo, la struttura dei nanofili può essere controllata utilizzando il rapporto tra indio e gallio, che consente di ottimizzare le proprietà ottiche e conduttive dei nanofili.

Molti laboratori stanno lavorando allo sviluppo di una tale tecnologia per nanofili compositi e fino ad ora la produzione di minuscoli fili in una "treccia" di un altro materiale era considerata un processo complesso che richiedeva un approccio speciale. La crescita di nanofili compositi su un substrato di grafene è un grande risultato. Il grafene stesso ha molti vantaggi rispetto al silicio. Quindi, il grafene è flessibile e conduce bene l'elettricità, inoltre, la materia prima per il grafene (carbonio) può essere prelevata direttamente dall'aria. Attualmente, circa l'80% del costo di una cella solare è il costo del substrato di silicio. Se è possibile stabilire una produzione di massa di grafene, ci aspetta una forte riduzione dei costi dell'elettronica e dell'energia solare.

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