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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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effetto magnetoresistivo. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Elettricità per principianti

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Inaugurato da W. Thomson (Lord Kelvin) nel 1857. È un cambiamento nella resistenza di un conduttore solido sotto l'influenza di un campo magnetico esterno. Esistono effetti magnetoresistivi trasversali (le linee del campo magnetico sono perpendicolari alle linee della corrente) e longitudinali (le linee del campo magnetico sono parallele alle linee della corrente). Il valore relativo della variazione di resistenza per un campo magnetico perpendicolare dR/Rperp a temperatura ambiente per i metalli ordinari è approssimativamente pari a 10-4 a H=104 Oe (1 Oersted=80 A/m), fa eccezione il bismuto, in cui dR/Rperp=2 a H=3x104 E. Questo rende possibile costruire un magnetometro a base di bismuto con una sensibilità di 10 μV/T. Per semiconduttori dR/Rperp = = 10-2...10 e dipende in modo significativo dalla concentrazione di impurità e dalla temperatura, ad esempio per germanio puro dR/Rperp=3 a T=90K e H=1,8x104 E.

Una diminuzione della temperatura e un aumento dell'intensità del campo magnetico portano ad un aumento di dR/Rperp. Nel 1927 P.L. Kapitza in forti campi magnetici alla temperatura dell'azoto liquido ha scoperto una dipendenza lineare di dR/Rperp dall'intensità del campo magnetico (legge di Kapitza). Il fattore di proporzionalità è solitamente positivo, cioè la resistenza aumenta con l'aumentare del campo magnetico.

La tabella mostra i coefficienti dR / Rperp per vari metalli e leghe e varie temperature e intensità del campo magnetico H.

effetto magnetoresistivo

La dipendenza della conducibilità dalla temperatura a un'intensità del campo magnetico H è determinata dalla regola di Koper: dR/R = [R(H,T) - R(0,T)]/R(0,T).

L'applicazione dell'effetto magnetoresistivo è descritta in [1].

letteratura:

  1. Partala O.N. Sensori magnetoresistivi e loro applicazione // Radioamatore. -1998. -#11-12. -C37.

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La piattaforma Helio P22 consente di utilizzare fino a 6 GB di RAM LPDDR4X-1600. I dispositivi mobili basati sul chip potranno portare a bordo un modulo flash eMMC 5.1.

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