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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Двуполярный источник питания 220/3-20 вольт 0,5 ампер. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Alimentatori

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Схема такого источника приведена на рисунке. Он состоит из двух стабилизированных выпрямителей, работающих от одного трансформатора Т1. Выходное напряжение источника может изменяться от 3 В до 20 В при токе нагрузки 0,5 А. Коэффициент нестабильности по напряжению не хуже 0,5%. Оба плеча источника идентичны и независимы.

Двуполярный источник питания 220/3-20 вольт 0,5 ампер

Выпрямители собраны по двухполупериодной мостовой схеме на диодных сборках КЦ405А. Собственно стабилизатор выполнен на микросхемах К142ЕН1Г и транзисторах V1 в одном плече и V2 - в другом плече. Регулировка выходного напряжения осуществляется переменными резисторами R2 и R4. Транзисторы V1 и V2 установлены на черненных алюминиевых радиаторах. Площадь каждого радиатора 400 см2. Переменные резисторы R2 и R4 типа СПО-0,5. Трансформатор Т1 намотан на магнитопроводе Ш20Х40. Обмотка I содержит 1210 витков провода ПЭВ-1 0,3 мм, обмотки II и III - по 90 витков ПЭВ-1 0,67 мм.

Pubblicazione: cxem.net

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"La nuova generazione di chip di memoria che supportano l'interfaccia LPDDR4 sta dando un contributo significativo allo sviluppo del mercato globale delle DRAM mobili, poiché lo standard LPDDR4 diventerà presto dominante", ha affermato Young-Hyun Jun, vicepresidente esecutivo delle vendite e "Noi continuerà a introdurre i moduli di memoria DRAM più avanzati che sono un passo avanti rispetto ad altri prodotti, consentendo agli OEM di fornire agli utenti dispositivi mobili innovativi in ​​modo tempestivo".

Il nuovo chip DRAM LPDDR8 ad alta velocità da 4 Gb offre elevati livelli di prestazioni ed efficienza energetica, garantendo applicazioni mobili veloci e un uso efficiente di schermi ad altissima risoluzione nei dispositivi mobili riducendo al minimo il consumo energetico.

Il chip LPDDR8 da 4 Gb è realizzato utilizzando un processo a 20 nm e ha la densità di archiviazione più alta di qualsiasi chip di memoria fino ad oggi. Grazie a quattro chip da 8 Gb assemblati in un unico pacchetto, i produttori di dispositivi mobili hanno l'opportunità di installare immediatamente 4 GB di RAM LPDDR4 in un modulo. Ciò consentirà ai dispositivi mobili di raggiungere nuove vette di prestazioni senza sacrificare né le dimensioni né il consumo energetico.

Vale la pena notare che la memoria Samsung LPDDR8 da 4 Gb utilizza la nuova interfaccia I/O LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), che è stata proposta per la prima volta al comitato JEDEC da Samsung e successivamente è diventata lo standard per la memoria DRAM LPDDR4. Basato sulla nuova interfaccia, il chip LPDDR4 è in grado di fornire velocità di trasferimento dati di 3200 Mbps per pin, che è il doppio delle prestazioni della DRAM LPDDR3 della generazione precedente nella classe a 20 nm. Inoltre, la nuova interfaccia consuma il 40% in meno di energia con una tensione di esercizio di 1,1 V.

Con il rilascio del nuovo chip, Samsung si concentrerà sul segmento premium del mercato mobile, che comprende smartphone con schermi UHD di grandi dimensioni, tablet e laptop ultrasottili con una risoluzione dello schermo quattro volte superiore rispetto ai modelli precedenti. Il chip sarà utilizzato anche in sistemi di rete ad alte prestazioni.

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