Multivibratori basati su transistor ad effetto di campo KR504NT. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Multivibratori simmetrici e asimmetrici per vari scopi possono essere costruiti non solo su transistor bipolari, ma anche su quelli ad effetto di campo. Un esempio di ciò può essere trovato in [1]. Considerando che i transistor ad effetto di campo presentano una serie di vantaggi rispetto a quelli bipolari, il principale dei quali è la corrente estremamente bassa nel circuito di controllo quando si opera a basse frequenze o in modalità statica, possiamo supporre che un multivibratore convenzionale a due transistor, ma solo sui transistor ad effetto di campo, si troveranno in una posizione vantaggiosa rispetto a nodi simili raccolti sulle loro controparti bipolari.

Potete vedere lo schema del primo multivibratore in Fig. 1. Il suo funzionamento è per molti versi simile al funzionamento di un multivibratore basato su transistor bipolari pn-p: anche i LED lampeggeranno. La differenza è che per chiudere ciascuno dei transistor VT1.1, VT1.2 è necessario applicare una tensione gate-source positiva, che deve superare la tensione di interruzione di questi transistor (circa 4 V). Ciò avviene ogni volta che si scambiano i bracci del multivibratore, a causa della presenza dei condensatori di temporizzazione C1, C2. Pertanto non è necessaria un'alimentazione bipolare.

Fig. 1

La frequenza di commutazione dei transistor in questo generatore è una volta ogni 6 s. Quando si installano condensatori elettrolitici di alta qualità (con bassa corrente di dispersione), con una capacità di 100...4700 μF, è possibile ottenere la commutazione dei transistor con un periodo di diverse decine di minuti, cosa irraggiungibile per dispositivi semplici che utilizzano bipolare transistor.

Le resistenze dei resistori R2 e R3 possono differire diverse migliaia di volte, ad esempio R2 può essere preso 30 MOhm e R3 - 10 kOhm. Il multivibratore diventerà asimmetrico. Le capacità dei condensatori cambiano allo stesso modo. Selezionando opportunamente questi elementi, è possibile ottenere impulsi molto brevi al terminale di drain di uno dei transistor, seguiti da un duty cycle elevato (100...10000). Se in un dispositivo realizzato secondo lo schema di Fig. 1, invece dei normali LED, accendi quelli lampeggianti come un carico a transistor, ad esempio L-36BSRD, quindi ognuno di essi, lampeggiando più volte, si fermerà mentre il suo vicino lampeggia. Se è necessario utilizzare il multivibratore a frequenze audio, è necessario ridurre la resistenza dei resistori R2 e R3 di 10...20 volte e utilizzare condensatori con una capacità di diverse centinaia di picofarad.

Invece dei resistori convenzionali R2, R3, è possibile installare fotoresistori (FSK, SF2-x, SFZ-x, FR117, ecc.). In questo caso, la frequenza di commutazione dei transistor cambierà diverse migliaia di volte a seconda del livello di luce. Va notato solo che se la resistenza dei resistori R2, R3 è inferiore a 3 kOhm, la generazione potrebbe fallire.

Un multivibratore realizzato secondo il circuito mostrato in Fig. 1, richiede l'uso di transistor ad effetto di campo con una grande corrente di drain iniziale (10...30 mA). In assenza di tali gruppi della serie KR504, è possibile assemblare un multivibratore simile secondo lo schema mostrato in Fig. 2. Qui i transistor ad effetto di campo funzionano con una corrente di drain inferiore e, per ottenere una luminosità sufficiente dei LED, gli amplificatori di corrente sono installati sui transistor bipolari VT1, VT4. La frequenza di commutazione di questo multivibratore è di circa 1 Hz. Se si installano potenti transistor compositi della serie KT1 al posto dei transistor VT4, VT829, è possibile utilizzare lampade a incandescenza come carico. In questo caso, R2, R6 non sono installati, poiché i transistor del tipo KT829 contengono i propri resistori integrati.

Se questo multivibratore "rifiuta" di funzionare, i resistori R3, R7 dovrebbero essere selezionati in modo più accurato. In un'unità assemblata secondo lo schema mostrato in Fig. 1 è possibile utilizzare microassemblaggi di coppie accoppiate di transistor ad effetto di campo della serie KR504, (K504, 504) con una corrente di drain iniziale superiore a 10 mA. KR504NT4V, KR504NTZV sono i più adatti, ma puoi anche provare con gli indici A, B. Quando si cambia la polarità della tensione di alimentazione e si collegano i LED, invece di un gruppo di transistor, è possibile utilizzare due transistor a canale n ad effetto di campo separati dal Serie KP302, KP307. Se hanno una tensione di interruzione elevata, la tensione di alimentazione può essere aumentata a 15 V.

Fig. 2

Per il nodo, il cui schema è mostrato in Fig. 2, sono adatti i microcircuiti KR504NT1, KR504NT2 con qualsiasi indice di lettere e quando si selezionano i resistori R3, R7 - KR504NTZ, KR504NT4. Inoltre, molti transistor ad effetto di campo delle serie KP103 e KP101 funzioneranno senza alcuna regolazione. È preferibile utilizzare condensatori non polari, ad esempio K73-17 di piccole dimensioni a 63 V. I LED "ordinari" possono essere una qualsiasi delle serie AL307, KIPD21, KIPD35, KIPD40, nonché 1-1513, L- 934, ecc. Lampeggiante: L-816BRSC-B, L-769BGR, L-56DGD, Т1ВК5410 e altri.

Poiché i transistor ad effetto di campo dei gruppi KR504NT (1...4) consentono una tensione source-drain massima non superiore a 10 V, la tensione di alimentazione dei multivibratori non deve superare 10...12 V.

Letteratura

1. A. Butov. Multivibratore basato su transistor ad effetto di campo. - Radio, 2002, N4, P.53.
2. Microcircuiti e loro applicazioni. - M.: Radio e comunicazione, 1984, P.73.

Pubblicazione: cxem.net

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