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Modulatore di fase. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Nei trasmettitori VHF amatoriali è possibile utilizzare un modulatore di fase, il cui circuito è mostrato in figura. È costituito da un amplificatore per microfono, un oscillatore master al quarzo e un modulatore di fase.

(clicca per ingrandire)

Il segnale dal microfono attraverso il filtro passa basso (R1C1C2) viene inviato all'amplificatore (circuito A1). e quindi attraverso un altro filtro (L1C8C10C11) - alla base del transistor V3, che funge da modulatore di fase Qui viene fornita anche la tensione RF dall'oscillatore a cristallo master sul transistor V2. Il segnale modulato in fase viene prelevato dal collettore del transistor V3.

L'induttore L1 è avvolto su un circuito magnetico dall'uscita o trasformatore di adattamento del ricevitore radio Selga e contiene 760 giri di filo PEV-1 0,1. Nell'oscillatore principale è possibile utilizzare risonatori al quarzo a una frequenza di 6, 8, 9, 12 o 16 MHz. La modalità di funzionamento del modulatore di fase viene impostata selezionando la resistenza R9. La deviazione richiesta viene impostata con una resistenza di trimming R3.

Autore: G. Rybakov; Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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Toshiba Electronics Europe (TEE), la divisione elettronica europea di Toshiba Corporation, ha introdotto una nuova serie di MOSFET ad alta velocità e alta tensione per i regolatori di tensione a commutazione.

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I nuovi MOSFET in modalità di miglioramento sono prodotti utilizzando il processo di produzione di semiconduttori planari Pi-MOS-8 di ottava generazione di Toshiba, che combina un elevato livello di integrazione con una struttura cellulare ottimizzata. Questa tecnologia riduce la carica del gate e la capacità senza perdere i vantaggi del basso RDS(ON), ha affermato la società.

Toshiba immagina questi MOSFET come un'aggiunta a bassa corrente alla serie DTMOS IV da 800 V esistente con tecnologia DTMOS4 Super Junction. I transistor TK3A90E 2,5 A e TK5A90E 4,5 A hanno una classificazione VDSS di 900 V e una tipica classificazione RDS(ON) rispettivamente di 3,7 e 2,5 ohm. I transistor da 4 A TK80A4,0E e 5 A TK80A5,0E hanno una classificazione VDSS di 800 V e una tipica classificazione RDS(ON) rispettivamente di 2,8 e 1,9 ohm.

I nuovi MOSFET di Toshiba sono caratterizzati da una corrente di dispersione massima ultra-bassa di soli 10µA (VDS=60V) e un intervallo di soglia della tensione di gate da 2,5V a 4,0V (a VDS=10V e 0,4mA di corrente di drain). Tutti i dispositivi vengono spediti in custodie TO-220SIS con fattore di forma standard.

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