Schema di un caricatore desolfatante. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Automobile. Batterie, caricatori
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Lo schema del caricatore desolfatazione è stato proposto da Samundzhi e L. Simeonov.
Il caricabatterie è realizzato utilizzando un circuito raddrizzatore a semionda basato sul diodo VI con stabilizzazione parametrica della tensione (V2) e un amplificatore di corrente (V3, V4). La spia di segnalazione H1 si accende quando il trasformatore è collegato alla rete. La corrente di carica media di circa 1,8 A è regolata selezionando il resistore R3. La corrente di scarica è impostata dal resistore R1. La tensione sull'avvolgimento secondario del trasformatore è 21 V (valore di ampiezza 28 V). La tensione sulla batteria alla corrente di carica nominale è 14 V. Pertanto, la corrente di carica della batteria si verifica solo quando l'ampiezza della tensione di uscita dell'amplificatore di corrente supera la tensione della batteria. Durante un periodo di tensione alternata, si forma un impulso di corrente di carica durante il tempo Ti. La batteria si scarica durante il tempo T2 = XNUMXTi. L'amperometro indica quindi il valore medio della corrente di carica, pari a circa un terzo del valore di ampiezza delle correnti totali di carica e scarica.
Nel caricabatterie è possibile utilizzare il trasformatore TS-200 dal televisore. Gli avvolgimenti secondari di entrambe le bobine del trasformatore vengono rimossi e un nuovo avvolgimento viene avvolto con un filo PEV-2 da 1,5 mm, costituito da 74 spire (37 spire su ciascuna bobina). Transistor V4 è montato su un radiatore con una superficie effettiva di circa 200 cmXNUMX.
Dettagli
Diodi di tipo VI D242A. D243A, D245A. D305, V2 uno o due diodi zener collegati in serie D814A, V5 tipo D226: transistor V3 tipo KT803A, V4 tipo KT803A o KT808A.
Quando si imposta il caricabatterie, è necessario selezionare la tensione in base al transistor V3. Questa tensione viene rimossa dal cursore del potenziometro (470 ohm) collegato in parallelo al diodo zener V2. In questo caso si sceglie il resistore R2 con una resistenza di circa 500 ohm. Muovendo il cursore del potenziometro si ottiene che il valore medio della corrente di carica varia di 1,8 A.
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Gli scienziati giapponesi sono riusciti a sviluppare un dispositivo per creare seta di ragno artificiale, vicino alla produzione naturale di ragni.
Il successo degli specialisti giapponesi nella creazione del rayon apre nuove prospettive per l'industria tessile e medica, facendo luce sul futuro della produzione di materiali sostenibili dal punto di vista ambientale.
La seta è apprezzata per la sua forza e leggerezza, ma la sua estrazione naturale è difficile, il che ha spinto gli scienziati a cercare metodi di produzione alternativi. Un team di ricercatori del RIKEN Center for Sustainable Resource Science e del RIKEN Pioneering Research Cluster in Giappone ha sviluppato un nuovo approccio, creando un dispositivo in grado di riprodurre la complessa struttura molecolare della seta.
Il dispositivo, che è una scatola con scanalature, consente di spostare la soluzione da un'estremità all'altra utilizzando la pressione negativa, simulando i processi nelle ghiandole della seta dei ragni.
Il leader dello studio Keiji Numata spiega: "Abbiamo mirato a imitare la produzione naturale di seta da parte dei ragni utilizzando la microfluidica, che prevede il flusso e la manipolazione del fluido attraverso canali stretti. La ghiandola della seta del ragno funziona essenzialmente come un dispositivo microfluidico naturale".
Questa tecnologia potrebbe diventare la base per la produzione rispettosa dell’ambiente della seta per l’industria tessile e la medicina.
Numata aggiunge: "Stiamo cercando di avere un impatto reale. Per fare questo, dobbiamo espandere i nostri metodi di produzione delle fibre e renderli più continui. Valuteremo la qualità del rayon attraverso vari indicatori e lo miglioreremo".
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