ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA Trasmettitore radio ad alta potenza con stabilizzazione della frequenza al quarzo. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / trasmettitori Principali caratteristiche tecniche: - potenza di uscita del trasmettitore - 0,5 W;
Il segnale proveniente da un microfono a condensatore con amplificatore incorporato (M1) viene inviato all'ingresso diretto dell'amplificatore operazionale DA1. Collegato a questo ingresso c'è un partitore di tensione tra i resistori R2 e R3, che crea metà della tensione di alimentazione a questo ingresso e consente quindi all'amplificatore operazionale di funzionare con una singola alimentazione. Un circuito R7, C5, C6 è collegato tra l'ingresso e l'uscita invertente, che crea il guadagno desiderato e la risposta in frequenza dell'amplificatore. Questo amplificatore funziona come un compressore del segnale vocale, comprimendone la gamma dinamica grazie alla cascata di transistor VT1. La tensione di uscita dell'amplificatore AF viene rilevata dai diodi VD1 e VD2 in una tensione costante, negativa, che agisce sul gate del transistor VT1 e aumenta la resistenza del canale di questo transistor con un aumento del livello del segnale sonoro. Come risultato dello shunt dell'ingresso invertente con il condensatore C6, il coefficiente di feedback negativo cambia, il che porta a un cambiamento nel guadagno dell'amplificatore operazionale. La tensione di uscita dell'amplificatore operazionale, pari alla metà della tensione di alimentazione, viene fornita attraverso i resistori R1 e R12 ai catodi dei varicap VD3. La tensione modulante dell'AF cambia al catodo dei varicap rispetto a questa tensione di polarizzazione. La matrice varicap VD3 è collegata tra il risonatore al quarzo e il filo comune. Un cambiamento nella capacità del varicap porta a qualche cambiamento nella frequenza del risonatore. In questo processo gioca un ruolo anche l'induttanza della bobina L1. L'oscillatore principale è realizzato sul transistor VT2, la cui frequenza nel circuito del collettore è determinata dal risonatore incluso, dall'induttanza L1 e dalla capacità VD3. Il circuito L2, C13 nel circuito del collettore di questo transistor è sintonizzato al centro dell'intervallo selezionato e su di esso è assegnata una tensione RF modulata in frequenza con una frequenza del risonatore Q1. Questa tensione viene alimentata attraverso la bobina di accoppiamento L3 allo stadio di uscita, realizzato sul transistor VT3. La bobina è inclusa nel circuito di polarizzazione di base di questo transistor - K17, K18, che crea il punto operativo dello stadio di uscita. La tensione RF amplificata e modulata in frequenza viene rilasciata sul collettore VT3. Quindi, attraverso un filtro passa-basso e una bobina di estensione, questa tensione entra nell'antenna. Il filtro passa-basso sulla bobina L4 e sui condensatori C16 e C17 serve a sopprimere le armoniche e ad abbinare l'impedenza di uscita della cascata sul transistor VT3 con l'impedenza di ingresso dell'antenna, la bobina L5 introduce ulteriore induttanza nel circuito dell'antenna e quindi aumenta la sua lunghezza equivalente, avvicinandosi a un quarto d'onda. Di conseguenza, il ritorno del segnale all'antenna aumenta. Il condensatore C19 elimina il guasto del transistor VT3 a causa di un cortocircuito accidentale dell'antenna con un filo comune o un circuito di alimentazione. Tutte le bobine del trasmettitore ad alta frequenza sono realizzate sugli stessi telai con un diametro di 7 mm con nuclei di ferrite 100 VCh con un diametro di 2,8 mm. La bobina del trasmettitore L2 ha 6 spire, L3 - 3 spire, L4 - 8 spire, L5 - 20 spire di filo PEV 0,2. Bobina L1 - induttanza DM-0,06 16 μH. Il trasmettitore viene sintonizzato in modo tradizionale, controllando l'intensità di campo da esso generata utilizzando un wavemeter o un oscilloscopio RF con un anello di filo all'ingresso. Vedi altri articoli sezione trasmettitori. Leggere e scrivere utile commenti su questo articolo. Ultime notizie di scienza e tecnologia, nuova elettronica: Pelle artificiale per l'emulazione del tocco
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