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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Potente trasmettitore senza amplificatore di potenza aggiuntivo. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / trasmettitori

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Il trasmettitore radio proposto differisce da altri dispositivi nella progettazione dell'oscillatore principale, che consente di ottenere una maggiore potenza di radiazione senza l'uso di un amplificatore di potenza aggiuntivo.

Potente trasmettitore senza amplificatore di potenza aggiuntivo

Il trasmettitore radio funziona a una frequenza di 27 - 28 MHz con modulazione di ampiezza. La frequenza portante è stabilizzata dal quarzo, che consente di aumentare il raggio di comunicazione quando si utilizza un ricevitore con stabilizzazione della frequenza al quarzo. Il dispositivo è alimentato da una fonte di alimentazione con una tensione di 3 - 4,5 V.

L'amplificatore di frequenza audio è realizzato su un transistor VT1 tipo KT315. Per alimentare il microfono e impostare le modalità CC dei transistor VT1, VT2, VT3, viene utilizzato un regolatore di tensione parametrico sul resistore R2, LED VD1 e condensatore C1. Una tensione di 1,2 V viene fornita a un microfono a elettrete con un amplificatore M1 del tipo MKE-3, "Pine", ecc. La tensione della frequenza audio dal microfono M1 attraverso il condensatore C2 viene fornita alla base del transistor VT1. La modalità di funzionamento CC di questo transistor è impostata dal resistore R1. Il segnale di frequenza audio amplificato, prelevato dal carico del collettore del transistor VT1 - resistore R3, viene inviato attraverso il condensatore C3 all'oscillatore principale, effettuando così la modulazione di ampiezza del trasmettitore.

L'oscillatore master del trasmettitore è assemblato su due transistor VT2 e VT3 del tipo KT315 ed è un autooscillatore push-pull con stabilizzazione al quarzo nel circuito di retroazione. Il circuito, costituito dalla bobina L1 e dal condensatore C5, è sintonizzato sulla frequenza del risonatore al quarzo ZQ1. Il circuito, costituito dalla bobina L2 e dal condensatore C7, è progettato per adattarsi all'antenna e al trasmettitore.

Il dispositivo utilizza resistori MLT-0,125. I condensatori vengono utilizzati per una tensione superiore a 6,3 V. Il transistor VT1 può essere sostituito con qualsiasi transistor npn, ad esempio KT3102, KT312. I transistor VT2, VT3 possono essere sostituiti da KT3102, KT368 con lo stesso rapporto di trasferimento corrente. Un buon risultato può essere ottenuto utilizzando il microcircuito KR159NT1, che è una coppia di transistor identici. Le bobine di contorno sono avvolte su un telaio con un diametro di 5 mm, avente un nucleo di accordatura in ferro carbonilico con un diametro di 3,5 mm. Le bobine sono avvolte con incrementi di 1 mm. La bobina LI ha 4+4 spire, la bobina L2 ha 4 spire. Entrambe le bobine sono avvolte con filo PEV 0,5. Choke Dr1 ha un'induttanza di 20-50 uH.

Come antenna viene utilizzato un cavo lungo circa 1 m.Come fonte di alimentazione è possibile utilizzare una batteria scarica KBS-4,5 V o quattro elementi di tipo A316, A33b, A343. Il LED VD1 tipo AL307 può essere sostituito da qualsiasi altro o utilizzare un analogo di un diodo zener a bassa tensione con bassa corrente di stabilizzazione.

L'impostazione del trasmettitore inizia con l'impostazione delle modalità dei transistor VT2 e VT3 per la corrente continua. Per fare ciò, collegare un milliamperometro all'interruzione del circuito di alimentazione nel punto A e selezionare il valore di resistenza del resistore R4 in modo che la corrente sia di 40 mA. La sintonizzazione dei circuiti L1, L2, C5, C7 viene effettuata in base alla massima radiazione RF. Inoltre, sono approssimativamente sintonizzati sulla frequenza operativa con i condensatori, o meglio, con il nucleo della bobina. Il trimmer delle bobine L1, L2 deve essere posizionato a una distanza non superiore a 3 mm dal centro delle bobine, poiché, nelle sue posizioni estreme, la generazione può essere interrotta a causa della violazione della simmetria delle spalle dei transistor VT2 , VT3.

Autore: Koryakin-Chernyak S.L.

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