Amplificatore di potenza AF (80 W). Schema, descrizione

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Amplificatore di potenza AF (80 watt). Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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L'amplificatore AF ha coefficienti di distorsione armonica e di intermodulazione molto bassi, è relativamente semplice, in grado di sopportare un cortocircuito a breve termine nel carico e non richiede elementi esterni per la stabilizzazione termica della corrente dei transistor dello stadio di uscita.

Principali caratteristiche tecniche

Potenza massima a carico con una resistenza di 4 m, W. . . 0
Intervallo di frequenza nominale, Hz. . . 20...20 000
Distorsione armonica al massimo
potenza di uscita 80 W, %, alla frequenza:
1 kHz. . . 0,002
20 kHz. . . 0,004
Fattore di distorsione di intermodulazione, % . . . 0,0015
La frequenza massima alla quale il massimo
la potenza è ridotta di 1 dB, kHz. . . cinquanta
Velocità di variazione dell'uscita
tensione (senza condensatore C2), V / μs. . . 40

Amplificatore di potenza AF (80 watt)
Fig. 1

Lo schema elettrico dell'amplificatore è mostrato in fig. 1. Sono state apportate modifiche allo stadio di uscita. Per aumentare la sua resistenza di ingresso, i transistor VT1, VT2 vengono introdotti nell'amplificatore AF. Ciò ha facilitato il funzionamento dell'amplificatore operazionale DA1 e ha permesso di garantire una tensione base-emettitore stabile dei transistor VT3, VT4 quando la temperatura cambia. Inoltre, l'amplificatore è integrato con una cascata sui transistor VT5, VT6, che, insieme ai sensori di corrente R33, R34 e agli stadi di uscita sui transistor VT7-VT10, formano due generatori di corrente in modalità inattiva, che elimina il taglio della corrente dell'emettitore dei transistor dello stadio finale e riduce la distorsione di commutazione. Quest'ultimo, come è noto, incide favorevolmente sullo spettro delle armoniche.

Oltre a queste modifiche, è stato introdotto un OOS locale più profondo in ciascun braccio dello stadio di uscita aumentando la resistenza dei resistori nei circuiti di emettitore dei transistor VT3, VT4, il che ha reso lo stadio di uscita più lineare. Poiché le resistenze R20, R21 sono collegate ai sensori di corrente R33, R34, si ottiene una stabilizzazione termica piuttosto rigida della corrente di riposo dei transistori dello stadio finale. La presenza di sensori di corrente R20, R90, feedback DC profondo e resistori limitatori di corrente nei circuiti di base dei transistor VT150, VT180 porta alla limitazione delle loro correnti di collettore a un valore accettabile durante i cortocircuiti nel carico. Il resistore R33 imposta la simmetria delle spalle dello stadio di uscita.

Non sono state apportate altre modifiche all'amplificatore. Le distorsioni non lineari sono state misurate con un oscilloscopio S1-68 utilizzando un generatore di segnale ZCH GZ-118 (Kg - circa 0,002%) e un doppio ponte a T di precisione incluso nel kit del generatore. Le misurazioni sono state eseguite secondo il metodo descritto nell'articolo di Yu Mitrofanov "Modalità economica A in un amplificatore di potenza" (vedi "Radio", 1986, n. 5, pp. 40-43). Il coefficiente di distorsione di intermodulazione è stato misurato secondo le raccomandazioni fornite nell'articolo di V. Kostin "Criteri di qualità del suono psicoacustico e scelta dei parametri UMZCH" (vedi "Radio", 1987, n. 12, p. 40-43). Durante il test dell'amplificatore con un segnale pulsato, non sono stati osservati picchi alla tensione di uscita.

Autore: G. Bragin; Pubblicazione: cxem.net

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