Klauscorrector-I. Amplificatore a due stadi con correzione passiva utilizzando valvole 6S4P, 6F12P, 6F12P. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Amplificatori di potenza a valvole
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L'unità ha trovato il suo posto da Genn e per qualche motivo non vuole tornare a casa ... Il correttore stesso è un banale a due stadi con correzione passiva su lampade non del tutto banali: 6S4P e 6F12P (parte triodo). In generale, è stato Genn a portarmi a 6F12P e Sergey Rubtsov lo ha guidato e il suo ...
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Rispetto a questo circuito, una modifica è stata apportata quasi immediatamente: C1 è stato spostato, ora è DOPO il filtro di correzione e le capacità del filtro sono ora eccitate. Come ha giustamente notato Girius, i valori nel circuito di correzione non sono del tutto corretti. Qualcosa è stato sostituito dall'orecchio, qualcosa riflette le distorsioni esistenti nel percorso e l'idea dell'autore di ciò che è buono e ciò che è male. Tuttavia, Genn ha anche cambiato qualcosa lì... Le batterie alcaline della griglia sono saldate direttamente nel circuito, in questo modo. Non pensare nemmeno all'utilizzo di contenitori per batterie economici... Le batterie saldano perfettamente, un po' di calore non le uccide (ma le pastiglie al litio non si saldano). A proposito, in un anno e mezzo di funzionamento, le batterie hanno perso circa 50 mV di tensione (non c'è selezione di corrente, solo autoscarica).
Strutturalmente, il correttore vive in una custodia dello strumento in alluminio, divisa da tramezzi in acciaio in tre scomparti (ferro; stabilizzatore anodico; preamplificatore). Il trasformatore è eccessivamente grande, 250 watt dal complesso Electron. Lo stabilizzatore a incandescenza è descritto su klausmobile.narod.ru/appnotes/an_11_fetreg_r.htm, esattamente ciò che viene fotografato lì.
La sorgente dell'anodo inizia con un veloce raddrizzatore hex-fred e un ingresso choke. Una piccola capacità in ingresso (0-4 uF) consente di regolare la tensione di uscita senza modificare la natura induttiva del filtro. Uno stabilizzatore parametrico con una sorgente di corrente a diodo zener è una soluzione tipica, ad esempio, di Conrad Johnson.
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Cambiamenti nel circuito: il LED di sinistra secondo il circuito dell'accoppiatore ottico è collegato in parallelo al secondo (all'uscita del relè a tempo).
L'automazione è alimentata da un raddrizzatore a filamento. La carica delle capacità del filtro inizia immediatamente dopo l'accensione. E lo stabilizzatore viene spento fino a quando il relè su ST1-IC1 e l'accoppiatore ottico normalmente chiuso (KR293KP9V) si accendono e consentono a C6 di essere caricato attraverso la sorgente di corrente su D4-Q2 (non ricordo esattamente quali transistor ci siano). Fino a quando ciò non accade, la seconda metà (normalmente aperta) di KR293KP9A consente il flusso di corrente attraverso la catena di scarica su Q1 (evidenziato nel riquadro blu) - al fine di evitare sovratensioni sulle capacità del filtro. Quando è spenta, la capacità di temporizzazione CT1 si scarica rapidamente attraverso i filamenti, il relè si spegne e la catena di scarica si riapre, scaricando la tensione residua sulle capacità del filtro.
Ringraziamenti, link, note
- Circuiti stabilizzatori simili di Conrad Johnson sul sito di Federico Paoletti, pi.infn.it/~federico/further.htm
- Chris Brady, teresaudio.com/haven
Pubblicazione: klausmobile.narod.ru
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Nella memoria FeRAM disponibile in commercio, l'elemento di commutazione è solitamente costituito da una piezoceramica, vale a dire titanato di zirconato di piombo (PZT). La proprietà del materiale di mantenere la polarizzazione anche dopo la rimozione di un segnale di controllo esterno - un campo elettromagnetico - conferisce alla memoria FeRAM la sua più importante proprietà di indipendenza energetica. Conserva i dati anche quando l'alimentazione è spenta. Imitare il lavoro del cervello - questo è estremamente importante. Ma nella sua forma attuale, la cella FeRAM è troppo grande e il "cervello" con il suo utilizzo sarà molto, molto grande.
Per la produzione di sinapsi artificiali, sono convenienti strutture a film sottile spesse pochi atomi: questo darà piccole dimensioni, alta densità e basso consumo energetico. Si è scoperto che il materiale ferroelettrico piuttosto promettente per le sinapsi artificiali a film sottile è l'ossido di afnio (HfO2). Questo materiale è perfettamente depositato da un mezzo gassoso utilizzando metodi moderni per creare strutture a film sottile con alta precisione e sotto controllo affidabile. Le temperature dei processi di produzione del film sono compatibili con la tecnologia di processo CMOS e non bruceranno gli elementi del chip durante il processo di fabbricazione del chip.
Un certo problema era che le proprietà ferroelettriche dell'HfO2 sono relativamente instabili, ma l'aggiunta di zirconio (Zr) ha risolto questo problema. Pertanto, il composto afnio-ossido di zirconio (HZO) ha dimostrato di essere uno dei forti candidati per la fabbricazione della memoria utilizzando materiali ferroelettrici e promette di rivoluzionare il memory computing.
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