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Orientamento della mappa per oggetti a terra. Consigli per il viaggio

Consigli per il viaggio

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La presenza stessa carte non garantisce che non ti perderai. Per evitare che ciò accada, è necessario monitorare costantemente la propria posizione, controllando ogni volta la mappa, dopo averla orientata verso oggetti ben visibili.

Tali oggetti possono essere edifici e alberi distaccati, torri, isole, biforcazioni nella foresta e sentieri, ecc. È auspicabile che questo oggetto sia nella linea del tuo movimento.

Dopo aver selezionato un tale oggetto, gira la mappa tra le mani in modo che una linea immaginaria sulla mappa tra la tua posizione e il simbolo dell'oggetto sulla mappa indichi l'oggetto sul terreno. Quando la mappa è orientata, puoi abbinare altri oggetti sul terreno e i loro simboli corrispondenti sulla mappa. Il nord sulla mappa non punterà necessariamente lontano da te. Sebbene questa posizione della mappa sia la più comune, quando ti orienti sul terreno, devi posizionare la mappa in base al terreno e affrontare la direzione in cui intendi andare, e non girare te stesso, cercando di stare rivolto a nord.

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Flash integrato a 28 nm per microcontrollori 23.02.2014

Secondo Renesas Electronics, i suoi specialisti hanno sviluppato la prima memoria flash incorporata del settore per microcontrollori, progettata per la produzione con standard a 28 nm.

L'uso della tecnologia a 28 nm aumenterà la quantità di memoria flash integrata. La necessità di aumentare il volume è causata dalla complicazione dei compiti risolti dai microcontrollori, in particolare quelli che operano nell'ambito dell'elettronica automobilistica e controllano il funzionamento del motore in tempo reale.

I microcontrollori Renesas, attualmente prodotti in 40 nm, possono avere fino a 8 MB di memoria flash integrata. Utilizzando il nuovo sviluppo, è possibile creare soluzioni a chip singolo che includono più di 16 MB di memoria flash.

Il prototipo, realizzato da Renesas, funziona a 160 MHz (la memoria da 40 nm funziona a 140 MHz), può memorizzare informazioni fino a 20 anni e ha una durata di 250 scritture.

Un ulteriore vantaggio del passaggio a 28 nm è la riduzione del consumo energetico.

La nuova memoria utilizza la tecnologia MONOS (Metal Oxide Nitrude Oxide Silicon) e le strutture a transistor proprietarie Renesas.

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