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Descrizione del lavoro per saldatore a fascio di elettroni. Documento completo

tutela del lavoro

tutela del lavoro / Descrizione del lavoro

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I. Disposizioni generali

  1. La saldatrice a fascio catodico è direttamente subordinata a _______.
  2. Una saldatrice a fascio catodico segue le istruzioni _______.
  3. La saldatrice a fascio catodico sostituisce _______.
  4. Il saldatore sul fascio catodico è sostituito da _______.
  5. Un saldatore a fascio di elettroni viene nominato e licenziato dal capo del dipartimento in accordo con il capo del dipartimento.
  6. In caso di trasferimento ad altra mansione o di licenziamento, il Saldatore è responsabile del corretto e tempestivo passaggio delle pratiche a chi assume tale incarico e, in sua assenza, a chi lo sostituisce o direttamente al suo superiore.
  7. Bisogna sapere:
  • circuiti di comando elettrici e cinematici di impianti a fasci di elettroni;
  • progettazione di impianti serviti;
  • l'influenza della geometria del cannone a fascio elettronico sui parametri elettrici dell'impianto;
  • proprietà meccaniche e tecnologiche dei metalli saldati;
  • le modalità di saldatura più vantaggiose;
  • disposizione e scopo dei sistemi di pompaggio con schemi complessi;
  • modalità e regole per il pompaggio di sistemi complessi;
  • lo scopo di ciascuna fase del processo di pompaggio e la loro sequenza;
  • nozioni di base sulla tecnologia del vuoto, sull'elettronica e sull'ingegneria elettrica di base nell'ambito del lavoro svolto.

II. Responsabilità lavorative

Il saldatore svolge le seguenti mansioni:

  1. Saldatura a fascio di elettroni sottovuoto di componenti costosi e parti in leghe speciali.
  2. Saldatura di assiemi e parti complessi, saldatura di prodotti con un limitato grado di riscaldamento.
  3. Saldatura di prodotti piccoli e miniaturizzati.
  4. Saldatura di prodotti progettati per funzionare sotto carichi di urti e vibrazioni.
  5. Manutenzione di sistemi ad alto vuoto con controllo automatico o ciclo produttivo continuo.
  6. Saldatura di metalli e leghe in varie combinazioni con spessore del metallo fino a 0,8 mm.
  7. Monitoraggio continuo del processo di pompaggio basato sulle letture degli strumenti e sul controllo del processo di saldatura.
  8. Ottenere parametri ottimali del fascio di elettroni e modificarli per ottenere la sezione trasversale ottimale delle cuciture.

III. Diritti

Il saldatore ha diritto:

  1. conferire incarichi a dipendenti subordinati, incarichi su una serie di questioni rientranti nelle sue mansioni funzionali;
  2. controllare l'adempimento delle attività di produzione, l'esecuzione tempestiva dei singoli ordini da parte dei dipendenti a lui subordinati;
  3. richiedere e ricevere i materiali e i documenti necessari relativi alle questioni delle loro attività e attività dei dipendenti a lui subordinati;
  4. interagire con altri servizi dell'impresa sulla produzione e su altre questioni che fanno parte dei suoi doveri funzionali;
  5. prendere conoscenza dei progetti di decisione della direzione dell'azienda in merito alle attività della Divisione;
  6. proporre all'esame del dirigente proposte per migliorare il lavoro relativo alle mansioni previste nella presente Job Description;
  7. sottoporre all'esame del capo della proposta sulla promozione dei dipendenti illustri, l'imposizione di sanzioni ai trasgressori della produzione e della disciplina del lavoro;
  8. riferire al responsabile su tutte le violazioni e le carenze identificate in relazione al lavoro svolto.

IV. Una responsabilità

Il saldatore è responsabile di:

  1. esecuzione impropria o mancata esecuzione dei propri doveri ufficiali previsti dalla presente descrizione del lavoro - entro i limiti determinati dalla legislazione sul lavoro dell'Ucraina;
  2. violazione delle norme e dei regolamenti che disciplinano le attività dell'impresa;
  3. reati commessi durante lo svolgimento delle loro attività - nei limiti determinati dall'attuale legislazione amministrativa, penale e civile dell'Ucraina;
  4. inflizione di danni materiali - entro i limiti determinati dall'attuale legislazione del lavoro e civile dell'Ucraina;
  5. rispetto delle vigenti istruzioni, ordini e ordinanze per la conservazione dei segreti commerciali e delle informazioni riservate;
  6. rispetto dei regolamenti interni, delle norme di sicurezza e antincendio.

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I ricercatori dell'American National Institute of Standards and Technology (NIST) hanno escogitato un nuovo metodo per misurare la mobilità delle particelle cariche nel silicio, che, se non capovolto, ha ampliato significativamente la comprensione dei processi di trasferimento di carica nei semiconduttori.

Il metodo proposto dagli scienziati ha permesso di effettuare le misurazioni più sensibili della velocità di movimento di una carica elettrica nel silicio, e questo è un indicatore della sua efficacia come semiconduttore. Di conseguenza, il nuovo metodo consentirà di valutare con maggiore precisione l'effetto di determinati droganti sulla conducibilità del silicio e costituirà la base per migliorare le caratteristiche dei dispositivi a semiconduttore. Questa è un'opportunità per migliorare le prestazioni dei chip quasi gratuitamente solo attraverso una migliore comprensione dei processi. Eseguire l'accordatura, per così dire.

Tradizionalmente, la mobilità degli elettroni e delle lacune nel silicio veniva misurata con il metodo di Hall. Questo metodo presuppone che i contatti siano saldati su un campione di silicio (semiconduttore) per far passare una corrente elettrica. Lo svantaggio di questo metodo è che nei punti di saldatura compaiono difetti o impurità, che introducono distorsioni nei risultati della misurazione.

Per la purezza dell'esperimento, gli scienziati del NIST hanno utilizzato un metodo senza contatto. Il campione di silicio è stato prima esposto a una luce di bassa intensità sotto forma di impulsi ultracorti di luce visibile, quindi il campione è stato irradiato con impulsi di radiazione nel lontano infrarosso o nella gamma delle microonde. La debole luce visibile ha prodotto un effetto fotodoping sul silicio: nello strato di silicio sono apparse particelle cariche sotto forma di elettroni e lacune.

La luce visibile, per ovvi motivi, non poteva penetrare nello spessore del silicio. A tale scopo, il campione fotodopato è stato irradiato con radiazione terahertz (nel campo del lontano infrarosso), per la quale il silicio è trasparente. E più particelle cariche nel campione, più luce penetra o viene assorbita dal campione. È importante notare qui che per una misurazione più accurata della mobilità degli elettroni nel campione, il suo spessore avrebbe dovuto essere abbastanza grande, fino a 1 mm. Ciò ha escluso l'influenza dei difetti sulla superficie del campione sulle misurazioni.

Tuttavia, il numero di elettroni e lacune "introdotte" dalla luce visibile nel campione doveva essere il più piccolo possibile per abbassare la soglia di sensibilità durante le misurazioni. Di solito, per questo, il campione veniva irradiato con un fotone, ma nel caso di un campione spesso, un fotone eliminava le particelle di silicio non sufficientemente cariche. È stata trovata una via d'uscita irradiando il campione con due fotoni di luce visibile. Successivamente, la radiazione terahertz è passata liberamente attraverso il campione con un numero minimo di particelle cariche nella maggior parte del materiale. Secondo gli scienziati, la soglia di sensibilità è stata ridotta di un fattore 10 da 100 trilioni di portatori di carica per cm2 a 10 trilioni.

Non appena la soglia di sensibilità è stata abbassata, il sorprendente è diventato chiaro. La mobilità degli elettroni nel silicio si è rivelata in grado di crescere anche fino a uno stato molto rarefatto di portatori nel materiale, cosa che nessuno sospettava prima. In realtà, la mobilità stessa si è rivelata superiore del 50% rispetto a quanto si pensasse. Per un controllo di controllo, un esperimento simile è stato condotto con arseniuro di gallio (GaAs), anch'esso un semiconduttore fotosensibile. È stato riscontrato che la mobilità dei portatori di carica in questo materiale continua a crescere al diminuire della loro densità. Il limite di densità portante misurato con il nuovo metodo si è rivelato circa 100 volte inferiore a quanto si pensasse in precedenza.

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