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PAROLE ALATE, UNITÀ FRASEOLOGICHE
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Parole alate, unità fraseologiche. Significato, storia d'origine, esempi d'uso

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Cortina di ferro

Georges Benjamin Clemenceau
Georges Benjamin Clemenceau

Fraseologismo: Cortina di ferro.

Significato: Su una politica guidata dalla lotta ideologica e volta a isolare un paese o un gruppo di paesi dalle relazioni e dalle influenze esterne (disapprovato).

origine: Questa espressione è stata animata da un apparecchio precedentemente utilizzato nel teatro: una cortina di ferro, che, per proteggere l'auditorium dal fuoco, veniva calata sul palco in caso di incendio su di esso. Ciò era molto consigliabile in un'epoca in cui sul palco si doveva usare il fuoco aperto per illuminarlo - candele, lampade a olio, ecc. Per la prima volta, una simile cortina di ferro iniziò ad essere utilizzata in Francia - nella città di Lione alla fine degli anni '80 - primi anni '90 gg. 23mo secolo L'espressione "cortina di ferro" era già utilizzata durante la prima guerra mondiale e il 1919 dicembre 23 J. Clemenceau dichiarò alla Camera dei Deputati francese: "Vogliamo mettere una cortina di ferro attorno al bolscevismo per non distruggere l'Europa civile nel futuro." Il 1945 febbraio 2000 apparve sulla rivista "Das Reich" un articolo di J. Goebbels "Anno 5". Diceva che se la Germania avesse perso la guerra, l'URSS avrebbe recintato l'Europa orientale e sudorientale dal resto del mondo con una "cortina di ferro". L'espressione cortina di ferro divenne ampiamente nota dopo il discorso di Churchill al Westminster College di Fulton (USA) il 1946 marzo XNUMX: "Da Stettino nel Baltico a Trieste nell'Adriatico, una cortina di ferro è scesa sul continente". Questo discorso è spesso considerato l'inizio della Guerra Fredda.

Fraseologia casuale:

Non risparmiare cartucce, non dare raffiche a salve.

Significato:

La frase è un simbolo di brutale rappresaglia.

origine:

Parole dalla spiegazione del governatore generale di San Pietroburgo Dmitry Fedorovich Trepov (1855-1906), che fu incollato il 14 ottobre 1905 per le strade di San Pietroburgo inghiottite dai disordini. In questo appello, DF Trepov ha informato la popolazione di aver ordinato alla polizia di reprimere le rivolte nel modo più decisivo e "se c'è resistenza da parte della folla, non sparare raffiche a salve e non risparmiare cartucce". Tuttavia, tre giorni dopo, il 17 ottobre, l'imperatore Nicola II fece una concessione ai ribelli, firmando il famoso decreto sulla "concezione" delle libertà civili ai sudditi russi. Più spesso, viene utilizzata solo la prima metà di questa frase.

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I circuiti integrati di commutazione RF SP12T progettati per smartphone dispongono di un controller MIPI-RFFE integrato per soluzioni mobili. Gli switch possono essere utilizzati in dispositivi 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE e LTE-Advanced.

I prodotti realizzati utilizzando il nuovo processo wafer TaRF8 SOI-CMOS TarfSOI forniscono la classe di perdita di inserzione più bassa del settore di 0,32 dB a 2,7 GHz. Rispetto ai prodotti basati sull'attuale tecnologia di processo TaRF6 di Toshiba, la perdita di inserzione è migliorata di 0,1 dB mantenendo lo stesso livello di distorsione.

Le comunicazioni mobili odierne richiedono la trasmissione di grandi quantità di dati ad alta velocità, pertanto i circuiti integrati di commutazione RF utilizzati nei dispositivi mobili e negli smartphone devono supportare il funzionamento multiporta e avere prestazioni RF migliorate. La riduzione della perdita di inserzione è considerata particolarmente importante a questo proposito, in quanto riduce la perdita di potenza di trasmissione del segnale radio, aumentando così la durata della batteria dei dispositivi mobili.

Toshiba sviluppa internamente circuiti integrati di commutazione RF ad alte prestazioni utilizzando la tecnologia SOI-CMOS, che integra circuiti analogici e discreti. Perseguendo tutti gli aspetti del processo di produzione, dallo sviluppo del processo dei componenti RF alla progettazione e produzione di circuiti integrati di commutazione RF, Toshiba è in grado di sviluppare rapidamente la tecnologia SOI-CMOS basata sui risultati del proprio sviluppo di circuiti integrati di commutazione RF. Lavorare come un produttore di dispositivi integrati (IDM) consente all'azienda di creare rapidamente nuove tecnologie di processo di produzione adatte alla produzione di massa e portare prodotti sul mercato utilizzando processi di produzione all'avanguardia.

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