Farina di tantalio. Significato, origine, esempi dell'uso delle unità fraseologiche

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Farina di tantalio

Mitologia greca e romana antica

Fraseologismo: Farina di tantalio.

Significato: Sinonimo di sofferenza per l'impossibilità di ottenere ciò che si desidera, anche se a prima vista è abbastanza realizzabile.

origine: Dall'antica mitologia greca. Tantalo, il re di Frigia (a volte chiamato il re di Lidia), era un favorito degli dei, e spesso lo invitavano alle loro feste. Ma il re Tantalo divenne orgoglioso di tali onori e fu punito per questo. Come scrive Omero nell'Odissea, la sua punizione era che, gettato all'inferno o, secondo il poeta, nel Tartaro (da cui l'espressione russa "volare all'inferno"), era destinato a vivere eternamente i morsi della fame e sete. Allo stesso tempo, si alzò fino al collo nell'acqua e sopra di lui pendevano rami con vari frutti. Ma non appena si sporge verso l'acqua per ubriacarsi, lei si ritira, tende solo le mani verso i rami: si alzano. Un analogo del proverbio russo: "Il gomito è vicino, ma non morderai".

Fraseologia casuale:

Apparizione di Cristo al popolo.

Significato:

A proposito dell'aspetto inaspettato (tanto atteso) di qualcuno (scherzosamente ironico).

origine:

Il nome del dipinto del famoso artista russo Alexander Andreevich Ivanov (1806-1858), al quale, mentre era in Italia, lavorò per circa 22 anni. La tela raffigura un gruppo di israeliani di varia condizione sociale, al centro del quale campeggia Giovanni Battista e indica Gesù che si avvicina.

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Il nome completo della novità è "Memoria ad accesso casuale resistivo non volatile ad alta velocità" (ReRAM). La memoria è realizzata su una tecnologia di processo a 50 nanometri e la densità delle celle qui è di 64 Mbps per array. Oltre a Elpida, Sharp, l'Università di Tokyo e il Japan National Institute of Science and Technology hanno preso parte allo sviluppo.

La memoria resistiva è considerata da molti una nuova fase nello sviluppo della tecnologia informatica. L'essenza della tecnologia è l'uso di un materiale speciale che cambia la sua resistenza elettrica sotto l'influenza delle variazioni di tensione. A differenza della DRAM, dove ogni cella è un condensatore e richiede frequenti ricariche, qui le informazioni possono essere memorizzate indipendentemente dalla fonte di energia. La velocità di scrittura del prototipo ReRAM presentato è di 10 ns, che è approssimativamente uguale alla velocità di scrittura della DRAM.

L'azienda non solo continuerà la ricerca in questa direzione, ma prevede anche di avviare la produzione in serie entro il 2013, ma già su una tecnologia di processo a 30 nanometri.

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